存儲主控芯片是一種集成電路芯片，用于控制和管理存儲設備。它負責管理多個存儲單元 (如內存、固態硬盤、閃存卡等)之間的數據傳輸和存取操作。存儲主控芯片通常包括處理器、內存控制器、接口控制器等功能模塊，以實現高效、可靠的數據傳輸和存儲管理。

存儲控制芯片通過控制NANDFlash存儲芯片中各個存儲單元電能的儲存及釋放實現數據的寫入與擦除，是存儲產品的核心器件。存儲控制芯片需要能夠識別 NANDFlash 存儲芯片中存儲單元的狀態，避開壞區實現數據的有效寫入，并最大化利用可用區域提升 NAND Flash 存儲芯片的可用容量。

移動存儲控制芯片設計需要深厚技術積累。NAND Flash 的商業化應用已超過 20 年，NANDFlash 存儲晶圓工藝也已經歷數次迭代，移動存儲控制芯片設計企業對各品牌存儲晶圓的技術迭代路徑、工藝特性、性能特點需要進行長期的跟蹤、歸納、總結、沉淀，才能設計出具備較強兼容性的移動存儲芯片，因此移動存儲控制芯片設計存在較高的行業壁壘。

芯邦科技通過自主研發的專用處理器及Flash控制算法，成功解決了flash應用市場中控制芯片難以適應、flash快速迭代等老大難問題，引領了該細分市場的技術標準，并取得了多項專利，徹底改變了該領域一直被海外廠商壟斷供應的歷史。

USB控制器芯片

CBM2199E

• 采用BCH ECC糾錯算法,最高支持72bit/1K
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持8192Page/Block
• 支持3D Nand flash和Toggle flash
• 支持3.3v/1.8v Flash，支持3.3v/1.8v 電壓自動trimming
• Flash電壓、電流可配，PAD/電源地可配置
• 最高頻率166MHz
• 工作電壓1.5-3.8V
• 待機電流<0.1uA，待機功耗<0.5uW（低功耗專利）

• 支持3.3V/1.8V，8bit/16bit Nand Flash；
• 支持512B-8KB page size，7bit-43bit ecc糾錯能力
• 創新的不間斷糾錯機制；
• 支持SD/MMC 1bit/4bit Host讀卡器功能
• 支持SPI host讀卡器功能

• 采用BCH ECC糾錯算法,最高支持72bit/1K
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持16KPAGE/Block
• 支持3.3v/1.8v Flash，支持3.3v/1.8v 電壓自動trimming
• PAD/電源地可配置，且LDO驅動能力支持軟件配置。
• 工作電壓：1.7V~3.6V 工作電壓1.5-3.8V
• 待機電流<0.1uA，待機功耗<0.5uW（低功耗專利）
• 支持USB2.0/USB3.0

SD卡控制器芯片

CBM3380

• 支持SD2.0/SD3.0協議
• 采用BCH ECC糾錯算法,最高支持72bit/1K
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持8KPAGE/Block
• 支持3D Nand flash和Toggle flash
• 支持3.3v/2.5v/1.8v/1.2v Flash，支持3.3v/2.5v/1.8v/1.2v電壓自動trimming
• PAD/電源地可配置，且LDO驅動能力支持軟件配置。
• 最高頻率208MHz
• 工作電壓：1.1-3.8V
• 待機電流<0.1mA，待機功耗<0.5uW（低功耗專利）

• 支持SD2.0協議
• 采用BCH ECC糾錯算法,最高支持72bit/1K
• 采用55nm工藝，最高頻率166MHz
• 兼容Windows，Linux，MacOS，Andriod等多系統平臺
• 支持VCCQ 3.3V/1.8V  VCC3.3V
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持4KPAGE/Block
• 支持L型封裝